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CVD化学气相沉积设备

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LPCVD设备 HITSemi-LPCVD-200

LPCVD设备 HITSemi-LPCVD-200

LPCVD设备配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置SiH4/NH3/N2O/N2/Ar，通过真空泵获得低压来实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的沉积。 设备主要应用于科研院校、高校、工矿企业等实验和小批量生产。

关键词：

LPCVD设备

CVD化学气相沉积设备

薄膜沉积

小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备 HITSemi-PECVD-460

小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备 HITSemi-PECVD-460

小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅、氧化硅和多晶硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅和多晶硅等薄膜的理想工艺设备。

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PECVD薄膜制备设备

等离子体增强化学气相沉积 PECVD

CVD化学气相沉积设备

薄膜沉积设备

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