CVD化学气相沉积设备
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LPCVD设备配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置SiH4/NH3/N2O/N2/Ar，通过真空泵获得低压来实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的沉积。 设备主要应用于科研院校、高校、工矿企业等实验和小批量生产。
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小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备 HITSemi-PECVD-460
小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅、氧化硅和多晶硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅和多晶硅等薄膜的理想工艺设备。
大连相约，与鹏城半导体共赴2026年微纳器件与系统应用技术大会
初夏五月，盛会将至。2026年5月22日—24日，2026年微纳器件与系统应用技术大会暨第十九届中国微纳电子技术交流与学术研讨会将在滨海城市大连隆重召开。鹏城半导体技术（深圳）有限公司（以下简称“鹏城半导体”）将出席本次大会。
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