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Semi-ICP-200 等离子刻蚀设备

Semi-ICP-200 等离子刻蚀设备

ICP 源装置结构简单，易于调节，可通过在基片台上施加偏压，实现对电子密度和离子能量的控制，即：射频线圈产生等离子体，基片偏压控制轰击基片离子的能流和束流以及入射的方位角等。ICP 为无电极放电，没有电极污染。

关键词：

等离子刻蚀设备

刻蚀

ICP刻蚀机

高密度

半导体

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鹏城半导体引领未来：TGV及TSV技术爆发式增长在即

鹏城半导体引领未来：TGV及TSV技术爆发式增长在即

随着半导体行业的飞速发展，尤其在芯片互联工艺领域，贯穿玻璃通孔（TGV）技术日益成为核心增长动力。预计在不久的将来，该技术将在全球及中国市场迎来前所未有的增长机遇。据最新市场研究数据显示，中国已经成为全球最大的TGV技术应用市场。

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半导体

玻璃通孔（TGV）技术

磁控溅射镀膜设备

TGV技术

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