重磅|热丝CVD金刚石解决方案亮相第十五届中国微纳电子技术交流与学术研讨会-鹏城半导体技术（深圳）有限公司

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重磅|热丝CVD金刚石解决方案亮相第十五届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

发布时间：

2022-08-09

第十五届中国微纳电子技术交流与学术研讨会于8月12日-14在厦门君泰酒店召开，此次 “论坛”大多来自我国从事MEMS、传感器、机器人、微加工、微制造、微系统、微能源、纳米材料等相关的高校院所、生产制造和封装测试单位，成员主要负责生产管理工作的领导和技术人员，负责设备规划和选型的专家，以及从事教学科研的学者。

政策东风

　　现有市场：半导体领域制备工艺及装备主要依赖进口，那我们怎么办呢？
　　解决现存问题，关键要在加强基础研究上发力，提升产业链自主可控能力，国产化产品，共建一个全国知名的产品及企业。
　　届时鹏城半导体受主办方邀请也参与此会议，企业自主研发的热丝CVD金刚石设备、分子束外延薄膜生长设备MBE设备等解决方案亮相本次会议。
　　分子束外延薄膜生长设备（MBE）
　　作为一家致力于半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造的科技型企业，鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），在国内首家推出具有自主知识产权的分子束外延薄膜生长设备MBE（分子束外延MBE）用于外延光电半导体材料；本公司利用国内高效的生产效率以及多学科人才的汇集通过对设备的功能、品控、工艺设计层层管理使得该设备具备与同类型进口设备对标竞争的能力。
　　设计团队将设备结构模块化，各重要部件可作为单独模块独立拆卸用于更换和升级，无需拆卸整机，减少维护时间，提高用户工作效率。各部件安装接口按照国际标准设计，可配套进口标准零部件。分子束外延薄膜生长设备MBE自主创新解决竞品存在的问题，设备生产周期可控，品质可控，在不影响功能使用以及体验的前提下，设备价格与同级别进口设备相比较，更具优势，为更多研究单位提供使用机会，由于设备结构模块化，部分部件可用进口部件替换，满足进口国产配件并行使用。设备维护响应时间短，配件配套效率高，设备运行稳定。

分子束外延薄膜生长设备（MBE）-实验型

　　分子束外延薄膜生长设备（MBE）-生产型

　　热丝CVD金刚石制备设备

鹏城半导体热丝CVD设备方案
多领域易操作沉积区域大

　　热丝CVD金刚石主要用于微晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。

　　可用于生产制造环保领域污水处理用的耐腐蚀金刚石导电电极。
　　可用于平面工作的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。
　　平面工作尺寸
　　圆形平面工作的尺寸：最大φ650mm。
　　矩形工作尺寸的宽度600mm/长度可根据镀膜室的长度确定（如：工件长度1200mm）。
　　配置冷水样品台。
　　热丝电源功率
　　可达300KW，1KW ～300KW可调（可根据用户工艺需求配置功率范围）
　　设备安全性
　　-电力系统的检测与保护
　　-设置真空检测与报警保护功能
　　-冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护
　　-设置水压检测与报警保护装置
　　-设置水流检测报警装置
　　设备构成
　　真空室构成
　　双层水冷结构，立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门，真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。
　　热丝
　　热丝材料：钽丝、或钨丝
　　热丝温度：1800℃～ 2500℃ 可调
　　样品台
　　可水冷、可加偏压、可旋转、可升降，由调速电机控制，可实现自动升降，（热丝与衬底间距在5 ～ 100mm范围内可调），要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。
　　工作气路（CVD）
　　工作气路根据用户工艺要求配置：
　　下面气体配置是某一用户的配置案例。
　　H2(5000sccm，浓度100%)
　　CH4(200sccm，浓度100%)
　　B2H6（50sccm，H2浓度99%）
　　Ar(1000sccm，浓度100%)
　　真空获得及测量系统
　　控制系统及软件
　　热丝CVD金刚石设备分类